ANALYSE DES DÉFAILLANCES DES SEMI-CONDUCTEURS
IC Services d’analyse des défaillances
Identifier les causes profondes de l’électricité, de la chaleur, du boîtierage et du processus avec des diagnostics de conservation des données probantes et un rapport d’ingénierie actionnable.
Examen confidentiel · Soutien global du projet · Chemin d’essai choisi à partir de données probantes
EXAMEN CONFIDENTIEL DE L’ENGINÉRATION
Commencez votre examen d’échec IC
Depuis 2008Expérience technique
Sur la base des éléments de preuveVoies d’essai choisies parmi les symptômes
Multi-méthodeCorrélation électrique, thermique et physique
Soutien confidentielProjets mondiaux favorables à la NDA
SIGNATURES DE FAILURE IC
Signatures de défaillance IC
nous enquêtons
L’analyse des défaillances des semi-conducteurs commence avec le comportement électrique et l’historique de fonctionnement, puis sélectionne les méthodes à l’échelle des boîtiers, des matrices et des matériaux qui préservent les preuves nécessaires à l’identification d’un mécanisme défendable.
01
Pas de sortie, de fuite ou de dérive paramétrique
Ouvrir les chemins internes, le courant anormal, les déplacements de seuil, le gain dégradé ou tout autre comportement électrique en dehors de la spécification de l’appareil.
02
Comportement intermittent ou dépendant de la température
Défauts influencés par la température, la charge électrique, le timing, les vibrations ou les cycles répétés qui nécessitent une reproduction contrôlée.
03
EOS, ESD et surcontrainte localisée
Chauffage localisé, encombrement du courant, dommages de jonction, panne d’oxyde, électromigration ou dommages électriques secondaires.
04
Défauts d’emballage, de fil de liaison et d’attache
La délamination, les vides, les fissures d’interface, les liaisons levées, les anomalies d’attache et les dommages liés à l’humidité.
SECURITE D’ANALYSE DU SÉMICONDUCTEUR
Du symptôme électrique au mécanisme de défaillance IC vérifié
La séquence protège l’emballage et les preuves de décès tout en passant progressivement de la caractérisation électrique à une découverte physique ciblée.
01
Reproduire et caractériser
Documenter la partie, le boîtier, le symptôme électrique, les conditions de fonctionnement, le taux de reproduction et le bon comportement connu.
02
Écran du boîtier
Utilisez X-ray, C-SAM et l’inspection externe pour identifier les preuves du boîtier, de l’interface et de l’interconnexion avant d’ouvrir l’appareil.
03
Localiser le défaut actif
Appliquer la caractérisation électrique, l’imagerie thermique ou la microscopie d’émission dans des conditions contrôlées de production en panne.
04
Vérifier les preuves physiques
Utiliser la décapsulation, Coupe transversale ciblée, FIB, SEM ou EDS seulement après que le site de défaillance probable a été rétréci.
05
Corrélation et rapport
Raccordez le comportement électrique, le boîtier ou la preuve de mort, l’historique du processus et les conditions d’échec au mécanisme le plus défendable.
CAPACITÉS ANALYTIQUES
Méthodes d’analyse de défaillance du noyau IC
Le plan d’essai est choisi autour du symptôme, de l’emballage, du mécanisme d’échec probable et des exigences de conservation des preuves — et non d’une liste de contrôle fixe.
01 / NON-DÉSTRUCTIF
X-ray et microscopie acoustique
Inspecter les structures internes du boîtier, les interfaces de soudure, les vides, les fissures, la délamination et les anomalies d’attache sans ouvrir l’appareil.
- Contrôle des colis 2D et 3D
- Comparaison des voies, des fissures et des interfaces
- Preuves retenues pour un suivi ciblé
02 / LOCALISATION
Localisation thermique et des émissions
Localiser les émissions anormales de chaleur ou de lumière pendant que l’appareil fonctionne dans un état contrôlé de production de panne.
- Comparer le comportement suspect et connu-bon
- Température de corrélation avec la charge et le temps
- Privilégier les données probantes avant l’analyse physique
03 / PREUVE PHYSIQUE
Coupe transversale, SEM et EDS
Exposer les structures sélectionnées et examiner la morphologie, les interfaces et la composition élémentaire à l’emplacement de la cible.
- Sectionnement et préparation contrôlés
- Examen de la morphologie à grande loupe
- Analyse élémentaire et corrélation matérielle
RISQUES DE SÉLECTION DE MÉTHODES ET DE PREUVES
Choisissez chaque étape d’analyse IC pour le mécanisme de défaillance
Un critère utile doit établir une distinction entre les mécanismes plausibles sans détruire les éléments de preuve nécessaires à la prochaine décision.
Aucune émission n’est pas un défaut
Ouvrir les chemins et certains défauts du boîtier peuvent ne pas émettre de photons détectables. Le comportement électrique et l’imagerie complémentaire déterminent la méthode suivante.
Localiser avant l’ouverture
La décapsulation et la sectionnement sont les plus utiles après que X-ray, C-SAM, les données thermiques ou d’émission ont réduit la région cible.
Correlate, ne pas juste l’image
Une caractéristique physique ne devient une preuve de cause racine que lorsqu’elle explique le symptôme électrique mesuré et l’historique de fonctionnement pertinent.
IC PATH DE FAILURE D’ EMBALLAGE
Défaillance du colis intermittent lors d ‘ un cycle thermique
Symptôme observéUn dispositif emballé a perdu sa fonction par intermittence après des transitions de température répétées.
Localisation électriqueLes essais contrôlés ont réduit la faille à une connexion interne dépendante de la température.
Preuves de l’ensembleL’imagerie non destructive a guidé une Coupe transversale qui corrélé une fonction d’interface avec le comportement intermittent.
IngénierieExaminer le boîtier pertinent, l’interconnexion, le processus et les contrôles de chargement thermique à l’aide des preuves documentées.
RAPPORT D’ANALYSE DE IC
IC rapport d’analyse de défaillance livrables
- Mécanisme de défaillance et niveau de confiance
- Corrélation Die, package et process
- Preuves thermiques, acoustiques ou microscopiques annotées
- Conditions d’essai électriques et notes de reproduction
- Limites des preuves et prochaines étapes recommandées
- Rapport d’ingénierie confidentiel
Informations utiles sur l’admission de IC
L’historique de l’appareil et le contexte électrique aident à protéger les bonnes preuves.
- Numéro de périphérique ou de pièce et type de colis
- Symptôme d’échec et taux de reproduction
- Tension de fonctionnement, charge et température
- Antécédents de fabrication du lot ou du champ, s’ils sont connus
- Échantillons connus ou données de comparaison
- Photos, journaux, schémas ou fichiers de test
QUELLES SONT LES INFORMATIONS A CONNAITRE AVANT DE SOUMETTRE
Analyse des défaillances IC FAQ
Vous ne savez toujours pas quelle méthode d’essai convient ? Commencez par le symptôme et les preuves disponibles; le chemin d’analyse peut être défini au cours de l’examen.
Quelles informations dois-je envoyer avec le IC échoué?
Envoyez le numéro de pièce, les symptômes d’échec, les conditions d’exploitation, le taux de reproduction, les antécédents de manipulation et toutes les photos, journaux, schémas ou données de comparaison connus.
Les premiers essais endommageront-ils l’appareil?
L’analyse commence normalement par l’examen des preuves et l’inspection non destructive. Toute étape destructive n’est choisie qu’après avoir compris sa valeur probable, les exigences en matière de risque et de conservation des preuves.
Pouvez-vous enquêter sur les échecs intermittents ?
Oui. Nous pouvons reproduire ou relier les défauts en utilisant la température contrôlée, la charge, le timing et les conditions électriques, puis corréler le symptôme avec des preuves thermiques, électriques ou physiques.
Qu’est-ce qui est inclus dans le rapport final?
Le rapport documente les échantillons, les conditions d’essai, la séquence d’analyse, les observations annotées, les constatations, les limites et les recommandations techniques appropriées aux preuves disponibles.
ÉTABLISSEMENT DU DÉVIS ET DU SYMPTOM ÉLECTRIQUE
Besoin d’un ingénieur pour examiner votre IC échoué?
Partagez le numéro de pièce, le boîtier, le comportement électrique, les conditions de fonctionnement et toutes les preuves disponibles. Nous vous recommandons la prochaine étape d’analyse IC.