ANÁLISIS DE FALLOS DE SEMICONDUCTORES
Servicios de análisis de fallos de IC
Identificar causas de raíz eléctricas, térmicas, de paquetes y procesos con diagnósticos que preservan la evidencia y un informe de ingeniería accionable.
Revisión confidencial · Soporte global para proyectos · Ruta de prueba seleccionada a partir de pruebas
REVISIÓN CONFIDENCIAL DE LA INGENIERÍA
Inicie su revisión de fallo de IC
Desde 2008Experiencia en ingeniería
Evidence-LedVías de ensayo seleccionadas a partir de los síntomas
MultimétodoCorrelación eléctrica, térmica y física
Apoyo confidencialProyectos mundiales favorables a la NDA
IC FIRMAS DE FALTA
Firmas de fallo de IC
Investigamos
El análisis de fallas de semiconductores comienza con el comportamiento eléctrico y el historial de operación, luego selecciona métodos a nivel de paquete, troquelado y material que preservan la evidencia necesaria para identificar un mecanismo defendible.
01
Sin salida, fuga o deriva paramétrica
Abrir rutas internas, corriente anormal, cambios de umbral, ganancia degradada u otro comportamiento eléctrico fuera de la especificación del dispositivo.
02
Comportamiento intermitente o dependiente de la temperatura
Fallas influidas por la temperatura, la carga eléctrica, el tiempo, la vibración o el ciclismo repetido que requieren una reproducción controlada.
03
EOS, ESD y sobrecarga localizada
Calentamiento localizado, apisonamiento de corriente, daños en la unión, rotura de óxidos, electromigración o daños eléctricos secundarios.
04
Defectos del paquete, del alambre de unión y de la unión al troquelado
Delaminación, huecos, fisuras de interfaz, enlaces levantados, anomalías de la matriz y daños de paquetes relacionados con la humedad.
SEMICONDUCTOR ANÁLISIS SECUENCIA
Desde el síntoma eléctrico hasta el mecanismo de fallo verificado IC
La secuencia protege la evidencia del paquete y de la matriz mientras se mueve progresivamente de la caracterización eléctrica a un hallazgo físico objetivo.
01
Reproducir y caracterizar
Documentar la pieza, el paquete, el síntoma eléctrico, las condiciones de funcionamiento, la tasa de reproducción y el buen comportamiento conocido.
02
Pantalla del paquete
Utilice X-ray, C-SAM e inspección externa para identificar el paquete, la interfaz y la evidencia de interconexión antes de abrir el dispositivo.
03
Localizar el defecto activo
Aplicar caracterización eléctrica, imagen térmica o microscopía de emisión en condiciones controladas de reproducción de fallos.
04
Verificar las pruebas físicas
Use decapsulación, sección transversal dirigida, FIB, SEM o EDS sólo después de que se haya estrechado el sitio de fallo probable.
05
Correlación e informe
Conecte el comportamiento eléctrico, la evidencia de empaquetado o de troquelado, el historial de proceso y las condiciones de fallo al mecanismo más defendible.
CAPACIDADES ANALÍTICAS
Métodos básicos de análisis de fallos de IC
El plan de prueba se elige en torno al síntoma, el paquete, el mecanismo de fallo probable y los requisitos de preservación de pruebas, no de una lista de verificación fija.
01 / NO DESTRUCTIVO
X-ray y microscopía acústica
Inspeccione estructuras de paquetes internos, interfaces de soldadura, vacíos, grietas, delaminación y anomalías de conexión sin abrir el dispositivo.
- Inspección del paquete 2D y 3D
- Comparación de vacíos, grietas e interfaces
- Pruebas retenidas para el seguimiento selectivo
02 / LOCALIZACIÓN
Localización térmica y de emisiones
Localice emisiones de calor o luz anormales mientras el dispositivo funciona en un estado controlado de reproducción de fallos.
- Comparar el comportamiento sospechoso y conocido-bueno
- Correlacionar la temperatura con la carga y el tiempo
- Priorizar la evidencia antes del análisis físico
03 / EVIDENCIA FÍSICA
Sección transversal, SEM y EDS
Exponga las estructuras seleccionadas y examine la morfología, las interfaces y la composición elemental en la ubicación de destino.
- Seccionamiento y preparación controlados
- Revisión de la morfología de alta magnificación
- Análisis elemental y correlación material
SELECCIÓN DE MÉTODOS Y RIESGOS DE EVIDENCIA
Elija cada paso de análisis IC para el mecanismo de fallo
Una prueba útil debe discriminar entre mecanismos plausibles sin destruir las pruebas necesarias para la próxima decisión.
Ninguna emisión no es “ningún defecto”
Rutas abiertas y algunas fallas del paquete pueden no emitir fotones detectables. El comportamiento eléctrico y la imagen complementaria determinan el siguiente método.
Localizar antes de abrir
La decapsulación y el seccionamiento son más útiles después de que X-ray, C-SAM, la evidencia térmica o de emisiones haya reducido la región objetivo.
Correlate, no sólo la imagen
Una característica física se convierte en evidencia de causa raíz sólo cuando explica el síntoma eléctrico medido y el historial operativo relevante.
IC PATH DE FALTA DE ENVASE
Fallo intermitente del paquete durante el ciclo térmico
Síntomas observadosUn dispositivo empaquetado pierde función intermitentemente después de repetidas transiciones de temperatura.
Localización eléctricaLas pruebas controladas redujeron la falla a una conexión interna dependiente de la temperatura.
Pruebas de conjuntoLa imagen no destructiva guió una sección transversal que correlacionaba una característica de interfaz con el comportamiento intermitente.
Acciones de ingenieríaRevisar los controles pertinentes de paquete, interconexión, proceso y carga térmica utilizando las pruebas documentadas.
INFORME DE ANÁLISIS IC
Resultados del informe de análisis de fallos de IC
- Mecanismo de fallo y nivel de confianza
- Correlación de matrices, paquetes y procesos
- Pruebas anotadas térmicas, acústicas o de microscopía
- Condiciones de ensayo eléctrico y notas de reproducción
- Limitaciones de pruebas y pasos siguientes recomendados
- Informe confidencial de ingeniería
Información útil de admisión de IC
El historial de dispositivos y el contexto eléctrico ayudan a proteger la evidencia correcta.
- Número de dispositivo o parte y tipo de paquete
- Síntomas de fallo y tasa de reproducción
- Tensión de funcionamiento, carga y temperatura
- Historial de lote o campo de fabricación, si se conoce
- Muestras buenas conocidas o datos de comparación
- Fotos, registros, esquemas o archivos de prueba
ANTES DE AÑADIR
Preguntas frecuentes sobre el análisis de fallos de IC
¿Todavía no está seguro de qué método de prueba encaja? Comience con el síntoma y la evidencia disponible; la ruta de análisis se puede definir durante la revisión.
¿Qué información debo enviar con el IC fallido?
Envíe el número de pieza, los síntomas de fallo, las condiciones de funcionamiento, la tasa de reproducción, el historial de manejo y cualquier foto disponible, registros, esquemas o datos de comparación conocidos.
¿Las primeras pruebas dañarán el dispositivo?
El análisis normalmente comienza con la revisión de las pruebas y la inspección no destructiva. Cualquier paso destructivo se selecciona sólo después de que se entiendan sus probables requisitos de valor, riesgo y preservación de pruebas.
¿Puedes investigar los fracasos intermitentes?
Sí. Podemos reproducir o atar fallas usando temperatura controlada, carga, tiempo y condiciones eléctricas, luego correlacionar el síntoma con evidencia térmica, eléctrica o física.
¿Qué se incluye en el informe final?
El informe documenta muestras, condiciones de ensayo, secuencia de análisis, observaciones anotadas, hallazgos, limitaciones y recomendaciones de ingeniería adecuadas a las pruebas disponibles.
Comiencen con el dispositivo defectuoso y el síntoma eléctrico
¿Necesita un ingeniero para revisar el fallo de su IC?
Comparta el número de pieza, el paquete, el comportamiento eléctrico, las condiciones de funcionamiento y cualquier evidencia disponible. Recomendamos el siguiente paso de análisis de IC.