ANALISI DEI GUASTI DEI SEMICONDUTTORI

Servizi di analisi dei guasti di IC

Identificare le cause della radice elettrica, termica, del package e del processo con la diagnostica di conservazione delle prove e un rapporto ingegneristico attuabile.

Revisione riservata · Supporto globale del progetto · Percorso di prova selezionato da prove

Thermal hotspot localization during IC failure analysis
Acoustic microscopy evidence of semiconductor package cracking

RIESAME DELL’INGEGNERIA DI APPROVVIGIONAMENTO

Avvia la tua recensione di errore IC

Allega i file di supporto disponibili. Massimo 8 MB per file.

Dal 2008Esperienza ingegneristica

Led di provaPercorsi di prova selezionati dai sintomi

Multi-metodoCorrelazione elettrica, termica e fisica

Sostegno riservatoProgetti globali a favore dell’NDA

FIRMA FALLURE IC

Firma di errore IC
indaghiamo

L’analisi dei guasti dei semiconduttori inizia con il comportamento elettrico e la storia operativa, poi seleziona i metodi di package, die- e a livello materiale che conservano le prove necessarie per identificare un meccanismo difendibile.

01

Nessuna uscita, perdita o deriva parametrica

Aprire percorsi interni, correnti anormali, sbalzi di soglia, guadagno degradato o altri comportamenti elettrici al di fuori delle specifiche del dispositivo.

02

Comportamento intermittente o dipendente dalla temperatura

Fallimenti influenzati da temperatura, carico elettrico, tempismo, vibrazioni o ciclismo ripetuto che richiedono una riproduzione controllata.

03

EOS, ESD e sovrastress localizzato

Riscaldamento localizzato, affollamento di corrente, danni alla giunzione, rottura di ossido, elettromigrazione o danni elettrici secondari.

04

Difetti dell’imballaggio, del filo di legatura e dell’attaccatura a stampo

Delaminazione, vuoti, crepe di interfaccia, legami sollevati, anomalie dell’attacco e danni al package legati all’umidità.

SEQUENZA DELL’ANALISI DEI SEMICONDUTTORI

Dal sintomo elettrico al meccanismo di guasto IC verificato

La sequenza protegge i pacchetti e le prove mentre si sposta progressivamente dalla caratterizzazione elettrica ad una ricerca fisica mirata.

01

Riproduci e caratterizza

Documentare la parte, package, sintomo elettrico, condizioni di funzionamento, tasso di riproduzione e noto-buono comportamento.

02

Scherma il package

Utilizzare X-ray, C-SAM e ispezione esterna per identificare i pacchetti, l’interfaccia e le prove di interconnessione prima di aprire il dispositivo.

03

Localizza il difetto attivo

Applicare caratterizzazione elettrica, immagini termiche o microscopia delle emissioni in condizioni controllate di fallimento-riproduzione.

04

Verificare le prove fisiche

Utilizzare decapsule, sezione trasversale mirata, FIB, SEM o EDS solo dopo che il sito probabile guasto è stato ristretto.

05

Correlatore e relazione

Collegare il comportamento elettrico, package o die prove, storia di processo e le condizioni di guasto al meccanismo più difendibile.

CAPABILITA’ ANALITICA

Core IC metodi di analisi dei guasti

Il piano di prova è scelto intorno al sintomo, package, probabile meccanismo di guasto e requisiti di conservazione delle prove non da una lista di controllo fissa.

3D X-ray inspection of BGA solder balls
Scanning acoustic microscopy of package cracking

01 / NON DISTRIBUTIVO

X-ray e microscopia acustica

Ispezionare le strutture interne dei pacchetti, le interfacce saldanti, i vuoti, le crepe, le anomalie della delaminazione e dell’attacco senza aprire il dispositivo.

  • Ispezione del package 2D e 3D
  • Confronto tra void, crack e interfaccia
  • Prove conservate per un follow-up mirato

02 / LOCALIZZAZIONE

Localizzazione termica ed emissioni

Individuare calore anormale o emissione di luce mentre il dispositivo funziona in uno stato controllato di guasto-riproduzione.

  • Confronta il comportamento sospetto e noto-buono
  • Correlate la temperatura con il carico e il tempo
  • Priorità delle prove prima dell’analisi fisica
Thermal hotspot analysis
Emission microscopy of an IC
Cross-section of a failed BGA solder joint
SEM micrograph of intermetallic compound growth

03 / EVIDENZA FISICA

Sezione trasversale, SEM e EDS

Esplora le strutture selezionate ed esamina la morfologia, le interfacce e la composizione elementare nella posizione di destinazione.

  • Sezionamenti e preparazione controllati
  • Revisione della morfologia ad alta magnificazione
  • Analisi elementare e correlazione materiale

RISCHIO DI SELEZIONE DEL METODO E DI EVIDENZA

Scegliere ogni fase di analisi IC per il meccanismo di guasto

Un test utile deve discriminare tra meccanismi plausibili senza distruggere le prove necessarie per la prossima decisione.

Nessuna emissione non è un difetto di

I percorsi aperti e alcuni difetti del package potrebbero non emettere fotoni rilevabili. Il comportamento elettrico e l’imaging complementare determinano il metodo successivo.

Localizzazione prima dell’apertura

La decapulazione e il settinging sono più utili dopo che X-ray, C-SAM, le prove termiche o di emissione hanno ristretto la regione di destinazione.

Correlate, non solo l’immagine

Una caratteristica fisica diventa root-cause prova solo quando spiega il sintomo elettrico misurato e la relativa storia operativa.

Cross-section evidence from an intermittent IC package failure

IC package PERCORSO FAILURE

Fallimento del package intermittente in cicli termici

Sintomi osservatiUn dispositivo confezionato ha perso in modo intermittente la funzione dopo ripetute transizioni di temperatura.

Localizzazione elettricaI test controllati hanno ristretto il guasto ad una connessione interna dipendente dalla temperatura.

Elementi di prova del packageL’imaging non distruttivo ha guidato una sezione trasversale che ha correlato una funzione di interfaccia con il comportamento intermittente.

Azione di ingegneriaEsaminare il package, l’interconnessione, il processo e i controlli di carico termico utilizzando le prove documentate.

RELAZIONE DI ANALISI IC

Risultati dell’analisi dei guasti di IC

  • Meccanismo di fallimento e livello di fiducia
  • Correlazione dei pacchetti, dei processi e dei pacchetti
  • Prove termiche, acustiche o microscopiche annotate
  • Condizioni di prova elettrica e note di riproduzione
  • Limitazioni delle prove e fasi successive raccomandate
  • Relazione tecnica riservata

Informazioni utili sull’assunzione di IC

La storia del dispositivo e il contesto elettrico aiutano a proteggere le prove giuste.

  • Dispositivo o numero di parte e tipo di imballaggio
  • Sintomi di fallimento e tasso di riproduzione
  • Tensione, carico e temperatura di esercizio
  • Lotto di fabbricazione o storia del campo, se nota
  • Campioni di buona conoscenza o dati di confronto
  • Foto, registri, schemi o file di prova

PRIMA DI PRESENTARE

Analisi dei guasti IC FAQ

Ancora insicuro quale metodo di prova si adatta? Iniziare con il sintomo e le prove disponibili; il percorso di analisi può essere definito durante la revisione.

Quali informazioni dovrei inviare con IC fallito?

Inviare il numero della parte, sintomi di guasto, condizioni operative, tasso di riproduzione, gestione della cronologia e qualsiasi foto disponibile, registri, schemi o dati di confronto noti.

I primi test danneggeranno il dispositivo?

L’analisi inizia normalmente con l’esame delle prove e l’ispezione non distruttiva. Qualsiasi passo distruttivo viene selezionato solo dopo aver compreso il suo probabile valore, rischio e esigenze di conservazione delle prove.

Puoi indagare sui fallimenti intermittenti?

Sì. Possiamo riprodurre o rilegare difetti utilizzando temperatura controllata, carico, tempismo e condizioni elettriche, quindi correlare il sintomo con prove termiche, elettriche o fisiche.

Che cosa è incluso nella relazione finale?

La relazione documenta campioni, condizioni di prova, sequenza di analisi, osservazioni annotate, risultati, limitazioni e raccomandazioni ingegneristiche adeguate alle prove disponibili.

INIZIARE CON IL DISPOSITIVO FALLITO E IL SIMBOLO ELETTRICO

Hai bisogno di un ingegnere per rivedere il tuo IC fallito?

Condividi il numero della parte, il package, il comportamento elettrico, le condizioni di funzionamento e tutte le prove disponibili. Vi consigliamo il prossimo passo di analisi IC.

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