Transistores NMOS: Como funcionam e aplicações

Índice

NMOS Structure Diagram

O que é um transistor NMOS?

Um transistor NMOS é um tipo de transistor de efeito de campo (FET) que opera usando polaridade negativa.

Estrutura NMOS

É composto por três regiões: a fonte, o dreno e a porta. A fonte é onde a corrente entra, o dreno é onde ela sai e a porta controla o fluxo de corrente. Quando uma tensão é aplicada à porta, ela cria um campo elétrico que influencia o comportamento dos elétrons no canal entre a fonte e o dreno. Isso pode aumentar ou diminuir o fluxo de corrente através do transistor.

NMOS Structure Diagram

Como funciona o NMOS?

O NMOS funciona controlando o fluxo de corrente através de um canal condutor entre os terminais de fonte e dreno, aplicando um campo elétrico a um elétrodo de porta, que é separado do canal por uma fina camada isolante.

Quando a tensão gate-source (vGS) é zero, e mesmo que a tensão drain-source (vDS) seja aplicada, as junções PN entre a fonte e o dreno de um transistor NMOS são polarizadas reversamente, e a região de esgotamento entre elas se torna muito larga para suportar o fluxo de corrente. Portanto, a corrente entre o dreno e a fonte (iD) é insignificante.

No entanto, quando vGS é positivo, um campo elétrico é gerado na camada isolante de SiO2 entre o gate e o substrato. Esse campo atrai elétrons e repele buracos do substrato próximo ao gate, criando uma região de esgotamento. Quando a magnitude de vGS aumenta, mais elétrons são atraídos para a superfície do substrato, formando um canal do tipo N que conecta os terminais de fonte e dreno. O canal é então capaz de suportar o fluxo de corrente entre os terminais de fonte e dreno.

A tensão na qual o canal começa a se formar é chamada de tensão de limiar (VT). Um transistor NMOS é considerado um transistor de modo de reforço porque requer que vGS seja maior que VT para criar um canal condutor.

A tensão dreno-fonte (vDS) afeta a corrente que flui através do canal. À medida que vDS aumenta, a espessura do canal próximo ao dreno diminui e a corrente aumenta. No entanto, quando vDS atinge um valor igual a vGS menos VT, o canal se estreita a ponto de a corrente não aumentar mais, e o transistor entra no modo de saturação.

Em resumo, um transistor NMOS opera criando um canal condutor entre os terminais de fonte e dreno quando uma tensão positiva é aplicada ao gate, permitindo que a corrente flua entre os terminais de fonte e dreno. A corrente é controlada pela tensão aplicada aos terminais gate e dreno.

NMOS vs PMOS

NMOS e PMOS são ambos semicondutores de óxido metálico, mas existem algumas diferenças entre eles:

NMOSPMOS
VGS de acionamento (modo de enriquecimento)Porta positiva em relação à fontePorta negativa em relação à fonte
Tipo de canalCanal nCanal p
Portadores do canalElétronsLacunas
VGS(th) (modo de enriquecimento)Positiva; especificada com pequena corrente de testeNegativa; especificada com pequena corrente de teste
Velocidade de comutaçãoDepende da carga de porta, acionador e carga elétricaDepende da carga de porta, acionador e carga elétrica
CustoComparar o dispositivo escolhido e o acionador necessárioComparar o dispositivo escolhido e o acionador necessário
Perdas de potênciaDependem de RDS(on), corrente e condições de comutaçãoDependem de RDS(on), corrente e condições de comutação
Exemplos de usoChaves do lado baixo, estágios de potência e circuitos lógicos/analógicosChaves de carga do lado alto e circuitos lógicos/analógicos complementares

Aplicação do NMOS

Os transistores NMOS são comumente usados em circuitos digitais como interruptores ou amplificadores. Eles também podem ser encontrados em microprocessadores, chips de memória e outros dispositivos eletrônicos.

Selecionar e verificar uma chave NMOS

Escolher transistor e acionador de porta considerando alimentação, corrente de carga, frequência de comutação e limites térmicos.

Acionamento de porta, caminho de corrente e temperatura

ÁreaO que verificarPor que importa
Acionamento de portaVerificar RDS(on) na VGS disponível, carga de porta e corrente do acionadorVGS(th) indica um limiar com baixa corrente, não garante baixa resistência de condução
Caminho de correnteVerificar referência da fonte, sentido do diodo intrínseco, corrente de carga e limitação de transientesO diodo intrínseco pode conduzir com a porta desligada
Projeto térmicoEstimar perdas de condução e comutação; verificar SOA, temperatura de junção e dissipaçãoA corrente admissível depende do regime de operação e projeto térmico

Sobre o autor

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Aidan Taylor

Sou Aidan Taylor e tenho mais de 10 anos de experiência na área de engenharia reversa de PCB, design de PCB e desbloqueio de IC.

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