Nesta publicação, apresentamos as características, configuração dos pinos, especificações, aplicações e outras informações úteis sobre o transistor MOSFET P55NF06.
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Sobre o MOSFET P55NF06
O P55NF06 é um transistor MOSFET de canal N comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência, comutador de potência,
Características
- Baixa taxa de porta
- Velocidade de comutação rápida
- Baixa capacitância de entrada
- Excelente desempenho térmico
- MOSFET de potência de modo de reforço de canal N
- Projetado para comutação de alta corrente e alta velocidade
- Multi-pacote: TO-220, D²PAK, TO-220FP
Configuração da pinagem
| Pin Number | Pin Name | Description |
|---|---|---|
| 1 | G | Gate - This pin is used to control the flow of current between the source and drain. By applying a voltage to the gate, the MOSFET can be turned on or off. |
| 2 | D | Drain - This pin is connected to the load or circuit that you want to switch or control using the MOSFET. When the MOSFET is turned on, current can flow from the source to the drain. |
| 3 | S | Source - This pin is connected to the ground or negative terminal of the power supply. When the MOSFET is turned on, current can flow from the source to the drain. |
Especificações técnicas
| Parameter | Content |
|---|---|
| Model | STP55NF06 |
| Package | TO-220 FP-3 |
| Lot Number | 19+ |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Product Type | MOSFET |
| RoHS | Yes |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Id - Continuous Maximum Drain Current at Tc = 25 °C | 50 A |
| Rds On - Drain-Source On-State Resistance | 15 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| VGS(th) - Gate-Source Threshold Voltage Vds | 3 V |
| Idm - Pulsed Drain Current | 200 A |
| Qg - Total Gate Charge | 44.5 nC |
| Minimum Operating Junction Temperature | -55 C |
| Maximum Operating Junction Temperature | +175 C |
| Pd - Power Dissipation | 30 W |
| Configuration | Single |
| Channel Mode | Enhancement |
| Height | 9.3 mm |
| Length | 10.4 mm |
| Series | STP55NF06FP |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Width | 4.6 mm |
| Forward Transconductance - Min | 18 S |
| Fall Time | 15 ns |
| Rise Time | 50 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 36 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
| Unit Weight | 2.040 g |
Aplicação
- Fontes de alimentação
- Reguladores de tensão
- Circuitos de controle de motores
- Amplificadores de áudio
- Inversores solares
- Gerenciamento de bateria
- Carregador de veículos elétricos
Princípios de funcionamento do MOSFET P55NF06
O P55NF06 é um tipo de MOSFET de potência (Transistor de Efeito de Campo de Semicondutor de Óxido Metálico) comumente usado em aplicações de eletrônica de potência. Aqui estão alguns dos seus princípios de funcionamento:
O MOSFET P55NF06 é um dispositivo de canal P, o que significa que o canal é formado por portadores carregados positivamente (buracos) no material semicondutor. Quando uma tensão positiva é aplicada ao terminal da porta, ela cria um campo elétrico que repele os buracos no canal, fazendo com que o canal se torne menos condutor.
A corrente de dreno do MOSFET é controlada pela tensão aplicada ao terminal gate. Quando a tensão gate é zero, o MOSFET está totalmente ligado e a corrente de dreno é determinada pela resistência do canal. Quando uma tensão positiva é aplicada ao gate, a resistência do canal aumenta, o que reduz a corrente de dreno.
O MOSFET P55NF06 tem uma baixa resistência no estado ligado (Rds(on)) e pode lidar com altos níveis de corrente e tensão. Isso o torna adequado para uso em aplicações de comutação de energia, como conversores CC-CC, circuitos de controle de motor e fontes de alimentação.
O MOSFET também tem uma alta impedância de entrada, o que facilita o acionamento a partir de circuitos de controle de baixa potência, como microcontroladores ou portas lógicas.
O MOSFET P55NF06 pode ser danificado por picos de tensão e sobrecorrentes, por isso é frequentemente usado em conjunto com dispositivos de proteção, como diodos, fusíveis e supressores de tensão transitória.
Prós e contras do MOSFET P55NF06
Aqui estão os prós e contras do MOSFET P55NF06 na tabela:
| Pros | Cons |
|---|---|
| High current carrying capability | High on-state resistance (Rds(on)) |
| Low gate charge and capacitance | High switching losses |
| Low input capacitance for faster switching | May require heat sink for high current applications |
| Low gate threshold voltage for easier driving | Relatively high cost compared to other MOSFETs |
| Low reverse transfer capacitance for stability | |
| Good thermal stability and reliability | |
| Can operate at high frequencies |
Vale a pena notar que os prós e contras de um MOSFET podem variar dependendo da aplicação específica e dos requisitos do circuito em que é utilizado. Portanto, é importante considerar cuidadosamente as características do MOSFET P55NF06 e compará-las com os requisitos da aplicação pretendida antes de tomar uma decisão sobre a sua utilização.
Substituto equivalente do MOSFET P55NF06
110N10, 50N06, 65N06, 75N06, 80N06, BR75N75, BR80N75, BUK7509-75A, CS4145, IRF1405, IRF2807, IRF3205, IRF3256, IRF4410A, IRFB3207, IRFB4710, IRFB7740, IRFZ44N
