In questo post, presentiamo le caratteristiche del transistor MOSFET P55NF06, la configurazione dei pin, le specifiche, le applicazioni e altre informazioni utili.
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Informazioni sul MOSFET P55NF06
P55NF06 è un transistor mosfet di potenza a canale N comunemente utilizzato nei circuiti elettronici per controllare il flusso di corrente. Ha una tensione nominale di 60V e una corrente nominale di 55A. Questo MOSFET è ampiamente utilizzato in varie applicazioni come regolatori di tensione, circuiti di gestione dell’alimentazione, inverter e circuiti di controllo del motore.
Caratteristiche
- Bassa carica di gate
- Elevata velocità di commutazione
- Bassa capacità di ingresso
- Eccellenti prestazioni termiche
- MOSFET di potenza a canale N in modalità di miglioramento
- Progettato per commutazione ad alta corrente e alta velocità
- Multi package: TO-220, D²PAK, TO-220FP
Configurazione dei pin
| Pin Number | Pin Name | Description |
|---|---|---|
| 1 | G | Gate - This pin is used to control the flow of current between the source and drain. By applying a voltage to the gate, the MOSFET can be turned on or off. |
| 2 | D | Drain - This pin is connected to the load or circuit that you want to switch or control using the MOSFET. When the MOSFET is turned on, current can flow from the source to the drain. |
| 3 | S | Source - This pin is connected to the ground or negative terminal of the power supply. When the MOSFET is turned on, current can flow from the source to the drain. |
Specifiche tecniche
| Parameter | Content |
|---|---|
| Model | STP55NF06 |
| Package | TO-220 FP-3 |
| Lot Number | 19+ |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Product Type | MOSFET |
| RoHS | Yes |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Id - Continuous Maximum Drain Current at Tc = 25 °C | 50 A |
| Rds On - Drain-Source On-State Resistance | 15 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| VGS(th) - Gate-Source Threshold Voltage Vds | 3 V |
| Idm - Pulsed Drain Current | 200 A |
| Qg - Total Gate Charge | 44.5 nC |
| Minimum Operating Junction Temperature | -55 C |
| Maximum Operating Junction Temperature | +175 C |
| Pd - Power Dissipation | 30 W |
| Configuration | Single |
| Channel Mode | Enhancement |
| Height | 9.3 mm |
| Length | 10.4 mm |
| Series | STP55NF06FP |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Width | 4.6 mm |
| Forward Transconductance - Min | 18 S |
| Fall Time | 15 ns |
| Rise Time | 50 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 36 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
| Unit Weight | 2.040 g |
Applicazione
- Alimentatori
- Regolatori di tensione
- Circuiti di controllo del motore
- Amplificatori audio
- Inverter solari
- Gestione della batteria
- Caricabatterie per veicoli elettrici
Principi di funzionamento del MOSFET P55NF06
Il P55NF06 è un tipo di MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) comunemente utilizzato nelle applicazioni di elettronica di potenza. Ecco alcuni dei suoi principi di funzionamento:
Il MOSFET P55NF06 è un dispositivo a canale P, il che significa che il canale è formato da portatori di carica positivi (lacune) nel materiale semiconduttore. Quando una tensione positiva viene applicata al terminale del gate, crea un campo elettrico che respinge le lacune nel canale, facendo diventare il canale meno conduttivo.
La corrente di drain del MOSFET è controllata dalla tensione applicata al terminale del gate. Quando la tensione del gate è zero, il MOSFET è completamente acceso e la corrente di drain è determinata dalla resistenza del canale. Quando una tensione positiva viene applicata al gate, la resistenza del canale aumenta, il che riduce la corrente di drain.
Il MOSFET P55NF06 ha una bassa resistenza allo stato attivo (Rds(on)) e può gestire livelli elevati di corrente e tensione. Questo lo rende adatto per l’uso in applicazioni di commutazione di potenza come convertitori DC-DC, circuiti di controllo del motore e alimentatori.
Il MOSFET ha anche un’elevata impedenza di ingresso, il che lo rende facile da pilotare da circuiti di controllo a bassa potenza come microcontrollori o porte logiche.
Il MOSFET P55NF06 può essere danneggiato da picchi di tensione e sovracorrenti, quindi viene spesso utilizzato in combinazione con dispositivi di protezione come diodi, fusibili e soppressori di transitori di tensione.
Pro e contro del MOSFET P55NF06
Ecco i pro e i contro del MOSFET P55NF06 in tabella:
| Pros | Cons |
|---|---|
| High current carrying capability | High on-state resistance (Rds(on)) |
| Low gate charge and capacitance | High switching losses |
| Low input capacitance for faster switching | May require heat sink for high current applications |
| Low gate threshold voltage for easier driving | Relatively high cost compared to other MOSFETs |
| Low reverse transfer capacitance for stability | |
| Good thermal stability and reliability | |
| Can operate at high frequencies |
Vale la pena notare che i pro e i contro di un MOSFET possono variare a seconda dell’applicazione specifica e dei requisiti del circuito in cui viene utilizzato. Pertanto, è importante considerare attentamente le caratteristiche del MOSFET P55NF06 e confrontarle con i requisiti dell’applicazione prevista prima di prendere una decisione sull’opportunità di utilizzarlo o meno.
Sostituto equivalente del MOSFET P55NF06
110N10, 50N06, 65N06, 75N06, 80N06, BR75N75, BR80N75, BUK7509-75A, CS4145, IRF1405, IRF2807, IRF3205, IRF3256, IRF4410A, IRFB3207, IRFB4710, IRFB7740, IRFZ44N
