В этом посте мы представляем особенности MOSFET-транзистора P55NF06, конфигурацию выводов, технические характеристики, области применения и другую полезную информацию.
Если вы сейчас заняты и не можете прочитать эту статью, вы можете скачать PDF-файл:
О MOSFET P55NF06
P55NF06 — это N-канальный силовой MOSFET-транзистор, который обычно используется в электронных схемах для управления током. Он имеет номинальное напряжение 60 В и номинальный ток 55 А. Этот MOSFET широко используется в различных приложениях, таких как стабилизаторы напряжения, схемы управления питанием, инверторы и схемы управления двигателями.
Особенности
- Низкая зарядка затвора
- Высокая скорость переключения
- Низкая входная емкость
- Отличные тепловые характеристики
- N-канальный усилительный MOSFET
- Предназначен для высокоточного и высокоскоростного переключения
- Мультикорпус: TO-220, D²PAK, TO-220FP
Конфигурация выводов
| Pin Number | Pin Name | Description |
|---|---|---|
| 1 | G | Gate - This pin is used to control the flow of current between the source and drain. By applying a voltage to the gate, the MOSFET can be turned on or off. |
| 2 | D | Drain - This pin is connected to the load or circuit that you want to switch or control using the MOSFET. When the MOSFET is turned on, current can flow from the source to the drain. |
| 3 | S | Source - This pin is connected to the ground or negative terminal of the power supply. When the MOSFET is turned on, current can flow from the source to the drain. |
Технические характеристики
| Parameter | Content |
|---|---|
| Model | STP55NF06 |
| Package | TO-220 FP-3 |
| Lot Number | 19+ |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Product Type | MOSFET |
| RoHS | Yes |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Id - Continuous Maximum Drain Current at Tc = 25 °C | 50 A |
| Rds On - Drain-Source On-State Resistance | 15 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| VGS(th) - Gate-Source Threshold Voltage Vds | 3 V |
| Idm - Pulsed Drain Current | 200 A |
| Qg - Total Gate Charge | 44.5 nC |
| Minimum Operating Junction Temperature | -55 C |
| Maximum Operating Junction Temperature | +175 C |
| Pd - Power Dissipation | 30 W |
| Configuration | Single |
| Channel Mode | Enhancement |
| Height | 9.3 mm |
| Length | 10.4 mm |
| Series | STP55NF06FP |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Width | 4.6 mm |
| Forward Transconductance - Min | 18 S |
| Fall Time | 15 ns |
| Rise Time | 50 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 36 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
| Unit Weight | 2.040 g |
Применение
- Источники питания
- Регуляторы напряжения
- Схемы управления двигателями
- Аудиоусилители
- Солнечные инверторы
- Управление аккумуляторами
- Зарядное устройство для электромобилей
Принципы работы MOSFET P55NF06
P55NF06 — это тип силового MOSFET (полевой транзистор с металлооксидным полупроводником), который широко используется в силовой электронике. Ниже приведены некоторые принципы его работы:
MOSFET P55NF06 — это устройство с P-каналом, что означает, что канал формируется положительно заряженными носителями (дырками) в полупроводниковом материале. Когда на затвор подается положительное напряжение, создается электрическое поле, которое отталкивает дырки в канале, в результате чего канал становится менее проводящим.
Ток стока MOSFET регулируется напряжением, приложенным к затворному выводу. Когда напряжение затвора равно нулю, MOSFET полностью включен, и ток стока определяется сопротивлением канала. Когда к затвору прикладывается положительное напряжение, сопротивление канала увеличивается, что снижает ток стока.
MOSFET P55NF06 имеет низкое сопротивление в включенном состоянии (Rds(on)) и может работать с высокими уровнями тока и напряжения. Это делает его подходящим для использования в приложениях с переключением питания, таких как преобразователи постоянного тока в постоянный, схемы управления двигателями и источники питания.
MOSFET также имеет высокий входной импеданс, что упрощает управление с помощью схем управления с низким энергопотреблением, таких как микроконтроллеры или логические вентили.
MOSFET P55NF06 может быть поврежден скачками напряжения и перегрузками по току, поэтому его часто используют в сочетании с защитными устройствами, такими как диоды, предохранители и устройства подавления переходных напряжений.
Плюсы и минусы MOSFET P55NF06
Ниже в таблице приведены преимущества и недостатки MOSFET P55NF06:
| Pros | Cons |
|---|---|
| High current carrying capability | High on-state resistance (Rds(on)) |
| Low gate charge and capacitance | High switching losses |
| Low input capacitance for faster switching | May require heat sink for high current applications |
| Low gate threshold voltage for easier driving | Relatively high cost compared to other MOSFETs |
| Low reverse transfer capacitance for stability | |
| Good thermal stability and reliability | |
| Can operate at high frequencies |
Стоит отметить, что преимущества и недостатки MOSFET могут варьироваться в зависимости от конкретного применения и требований схемы, в которой он используется. Поэтому перед принятием решения об использовании MOSFET P55NF06 важно тщательно изучить его характеристики и сравнить их с требованиями предполагаемого применения.
P55NF06 Эквивалентный заменитель MOSFET
110N10, 50N06, 65N06, 75N06, 80N06, BR75N75, BR80N75, BUK7509-75A, CS4145, IRF1405, IRF2807, IRF3205, IRF3256, IRF4410A, IRFB3207, IRFB4710, IRFB7740, IRFZ44N
