
Транзисторы MOSFET: типы и конструкция схем
Основы MOSFET: работа N-канала/P-канала, режимы переключения и усиления, требования к управлению затвором. Советы для применений с высокой мощностью. Информация из технических паспортов!
Восстановление схем и файлов Gerber
Восстановление доступа к коду MCU/CPLD и резервное копирование
Точная аппаратная репликация 1:1
Беспроводные решения BLE и Classic BT
Точное управление ПИД и терморегулирование
Высокоэффективное управление приводом двигателя
Промышленная связь RS485/RTU
Пользовательская прошивка и аппаратное обеспечение STM32/ESP32
Оптимизация затрат и доходности
Многослойная высокоскоростная цифровая схема
Быстрая проверка образцов
Полный цикл производства печатных плат и поставка компонентов
Экспертиза в области технологии поверхностного монтажа
Поиск основных причин дефектов микросхем
Восстановление платы на уровне компонентов
Тестирование на термические и электрические нагрузки
Откройте для себя инженерные решения, лежащие в основе высокоточных микрозондов
Рассчитайте ширину дорожки печатной платы на основе повышения температуры, тока и толщины меди (IPC-2152).
Погрузитесь в мир транзисторов и полупроводниковых устройств, которые являются неотъемлемыми компонентами современной электроники. В этой категории рассматриваются различные типы транзисторов (биполярные, полевые и т. д.), их применение в усилителях, переключателях и других схемах, а также более широкая область полупроводников. Статьи также освещают последние достижения в области полупроводниковых технологий и способы использования этих устройств во всем, от микропроцессоров до схем управления питанием.

Основы MOSFET: работа N-канала/P-канала, режимы переключения и усиления, требования к управлению затвором. Советы для применений с высокой мощностью. Информация из технических паспортов!

Что такое IGBT? IGBT означает «биполярный транзистор с изолированным затвором» — это тип силового полупроводникового устройства, сочетающий в себе биполярные транзисторы (BJT) и полевые транзисторы с металлооксидным полупроводником (MOSFET). IGBT имеют высокий входной импеданс, как MOSFET, и низкий падение напряжения

Полевые транзисторы NMOS: принципы работы, смещение и проектирование логических схем. Изучите характеристики напряжения/тока и особенности компоновки. Руководство для начинающих!

Полевые транзисторы PMOS: принципы работы, требования к напряжению и проектирование логических схем. Узнайте, как использовать их в коммутационных приложениях. Руководство для начинающих!

Характеристики NPN-транзистора 2N2222A: коэффициент усиления по току, пределы напряжения и применение в переключающих схемах. Узнайте, как использовать его в усилителях и проектах Arduino. Краткое описание технических характеристик внутри!

Диоды Шоттки для защиты от обратной полярности: падение напряжения, номинальные значения тока и размещение на печатной плате. Узнайте, как предотвратить повреждение в силовых цепях. Советы по техническим характеристикам внутри!

Что такое чип NRF51822 BLE? nRF51822 — это мощный, гибкий, многопротокольный SoC, идеально подходящий для беспроводных приложений Bluetooth с низким энергопотреблением и 2,4 ГГц с ультранизким энергопотреблением. Он построен на базе 32-разрядного процессора ARM® Cortex™ M0 с 256 кБ флэш-памяти

Характеристики транзистора BC547 NPN: коэффициент усиления по току, пределы напряжения и методы смещения. Идеально подходит для усиления слабых сигналов. Примеры проектов и сводка технических характеристик!

Не понимаете, как работают PNP-транзисторы? Изучите принципы их работы, смещение и распространенные конфигурации эмиттера/коллектора. Сравните с NPN для проектирования схем. Руководство для начинающих!